为什么在集成电路制程中要使用高纯氮气？

由制氮机制成的氮气在高度纯化以后，在制造半导体器件的扩散工艺程中被大量采用，作为液体扩散源的携带气（或气体扩散源的稀释气），并在高温扩散炉内用作器件的保护气。一般要求氮气中杂质氧的含量应小于1～5ppm，露点低于-70℃，纯度为99.999%以上。高纯氮还在外延、光刻、清洗和蒸发等工序中，作为置换、干燥、储存和输送用气体。

在半导体材料和器件的制造过程中，对工业气体纯度的要求非常严格。由于半导体器件本身就是经“掺杂”制成的（它是在锗、硅或砷化镓等半导体晶片中，局部掺入微量的三价或五价元素形成），因此，要求半导体材料本身和各种气体及试剂的纯度要很高，必须严格控制其它杂质元素的掺入。试验证明，在杂质浓度为10¹⁶/立方厘米的p型硅表面上，仅仅沾有2×10¹¹立方厘米的一价离子时，其表面就会转为n型。