气体中的微量杂质对集成电路生产的影响

从制备多晶硅到最终的退火工艺，集成电路制作的整个过程中均使用气体，用气体的品种很多，用量也很大，如PSA制氮机制成的高纯氮气。以外延工艺为例，使用的气体为含Si气体、掺杂气体、携带气体、还原气体和赶气气体。如果气体中含有百万分之几的碳氢化合物或氧的杂质，就在芯片上造成凹坑，影响后工序生产的质量。若气体中含有十亿分之几的重金属杂质，就会生成淀积物，电路性能发生变化。有源电路组件之间很小的间距会增大杂质的影响，降低成品率。

随着超大规模和超高速集成电路技术的出现，需要微米和亚微米电路结构，气体中微量杂质造成的影响更加明显，往往使成品率显著下降。因此，需要有极高纯的气体，将气体内含杂质总量限制于10^-6或更少。为适应兆位集成电路发展对气体的要求，国外跨国气体公司已生产出VLSI和ULSI级的超净气体。