大规模集成电路生产对气体纯度有哪些要求？

ULSI级气体纯度比VLSI级高0.5～1.0N，对气体洁净要求更加苛刻，将尘埃和金属粒子含量控制在极低范围内。例如制氮机制成的高纯氮气，在超大规模 (VLSI)和特大规模 (ULSI)集成电路生产中，尘埃、颗粒和金属粒子（尤其Na⁺、K⁺、碱金属离子，直接影响表面态和电路性能）已成为制约产品成品率和可靠性的关键。一般要求气体中颗粒容许粒径大小为电路设计最小线宽的1/10以下。下图给出国外集成电路发展及对气体中尘粒数的要求。

高纯特种气体在制造集成电路中用于外延生长、CVD膜形成、掺杂、离子注入、纯化、干法刻蚀和电极形成等工艺。纯度要求视使用的场合及集成电路规模水平而有不同。除控制气体中的杂质含量和尘埃粒径外，还严格控制气体中的尘埃颗粒数量，如粒径为IC设计线宽的1/10的颗粒数，以0.4个/L为限度，下图为给出部分超纯气体在超大规模和超高速集成电路生产中的应用。