超大规模集成电路(ULSI)的发展对水处理设备的要求有哪些？

众所周知，随着集成度的提高，制造器件需要清洗的次数也增多，例如1MB的超大规模集成电路 (ULSI)清洗频次为64KB的1.7倍，以大规模集成电路工艺为例，就有90%以上的工序需要用高纯水清洗，可想而知高纯水的质量在材料和器件的制造中起着关键作用。高纯水中重金属、碱金属、非金属、颗粒、总有机碳(TOC)、细菌、细菌内毒素溶解氧 (DO)等杂质含量，均会影响材料和器件的性能和成品率，因此对水处理设备提出了严格的要求。

以制造256KB位或1 MB位的DRAM到1 G位的DRAM的发展为例，看出对水中杂质的要求是越来越高。例如：电阻率由17.5MΩ·cm提高到18.24MΩ·cm（25℃）；TOC由小于100μg/L提高到小于1μg/L或小于0.5μg/L；颗粒≥0.1μm由小于500个/L提高到小于100个/L；DO由小于50μg/L到小于15μg/L或小于1μg/L；细菌由小于100个/100ml提高到小于0.01个/100ml；细菌内毒素由1EU/ml提高到小于0.03EU/ml；可溶硅由小于10μg/L提高到小于0.3μg/L或小于0.1μg/L；Na⁺由小于1.0μg/L提高到小于0.07μg/L；K⁺由小于2.0μg/L提高到小于0.01μg/L；Cl^-、NO₃^-、PO₄^3-由小于1.0μg/L提高到小于0.02μg/L；SO₄^2-由小于1.0μg/L提高到小于0.05μg/L（以上用离子色谱法测定）；Cu、Zn、Ni等金属杂质由小于1.0μg/L提高到小于0.005μg/L或小于0.0003μg/L（用ICP测定）。由此可见，要达到以上指标，必须研究和提高现有的制水工艺，以满足ULSI的要求。