集成电路纯水设备除了电阻率以外还有那些指标要求？

从对深亚微米器件性能影响的敏感性和制水技术的难度考察TOC（总有机碳）/DO（溶解氧），两参数集中体现了现今超纯水设备技术的水平。TOC引起薄栅氧化中缺陷密度增加，DO由于硅片表面自然氧化膜而使器件特性恶化。同时SiO₂和颗粒问题也是解决超纯水水质的重要方面。

1. TOC（总有机碳） 水中存在着各种各样的有机物，以TOC表征其浓度。TOC引起器件最初的氧化速率增大1倍，薄栅氧化中缺陷密度增加，故栅越薄要求TOC越低；TOC又是细菌营养源，会助长细菌繁殖。减低TOC涉及到诸多技术材料，因而该参数集中体现了现代超纯水系统的水平。

2. DO（溶解氧） DO是硅片上自然氧化膜的起因，抑制该氧化膜生长之要求，随栅氧化层的减薄而严格，况且低DO还有助于抑制细菌繁殖。

3. Si/SiO₂ 水中溶解硅以悬浮状存在，尺寸在1nm～10μm范围内。它除污染RO（反渗透）膜和UF（超滤）膜且增大维护费之外，沉积在硅片上时还将影响热氧化质量，产生表面缺陷，故应极力去除。

4. 颗粒 在美国芯片工厂中，50%的成品率损失起因于化学杂质和微粒污染。沉积在硅片上的微粒数随水中微粒数的增加而增多。